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  • x射线单晶定向仪和多晶有什么区别?

    单晶定向仪主要用于测定单个纯物质的晶体结构,对于已知结构,可以进行精修,对于未知结构,可以鉴定结构。要求所测的样品为块状单晶。一般在表征新化合物时,建议用单晶定向仪,测量一个单晶体需要一到两天,解析一个单晶可能要花费更多的时间。另外,培养单
    发布时间:2020-02-24   点击次数:6

  • 单晶定向和切割操作实施办法

    首先对被测晶体进行初步评价,用XRD常规θ/2θ扫描。理想单晶是光斑所照射的块状平面仅出现一种晶面的衍射峰,或者根本扫不到峰。仅有一个很强的主晶粒峰,只是取向有微小差异的,即有晶体缺陷的,可称为准单晶。否则,就是多晶,但多晶概念太广泛,有仅
    发布时间:2020-02-17   点击次数:8

  • 多孔碳化硅定向陶瓷的无模高温结晶制备工艺

    多孔陶瓷是一种含有一定量孔隙的非金属固体粉末烧结体,用途十分广泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一种,因具有高过滤效率和高分离效率及优异的光电性能而备受关注。良好的碳化硅粉末堆积密度是制备高质量碳化硅陶瓷基础之一,本文引入土力土质学中关于
    发布时间:2020-02-10   点击次数:8

  • 几种材料性能和结构对比,来展示单晶材料的优缺点

    随着新能源行业的不断发展,人们对动力电池的要求也越来越高,随之而来的三元材料中镍含量的提升,但由此带来的正极材料稳定性问题、电解液匹配问题、大电流充电温升过高等引发的电池失效也越来越受到人们的关注,因此,单晶材料应运而生,不仅仅增强了正极材
    发布时间:2020-01-15   点击次数:21

  • 现阶段单晶材料企业面临哪些问题

    单晶材料行业作为半导体产业的直接上游,是半导体行业技术进步并不断发展的基石。近年来,随着半导体行业向高质量发展转变,半导体级单晶硅材料行业对市场参与者的研发能力、生产能力及品质管控能力均提出了很高的要求,而缺乏高素质的研发人员和有经验的生产
    发布时间:2020-01-06   点击次数:7

  • 丹东一切都在跑狗论坛晶体仪器祝大家元旦快乐!

      元旦将至,新年初始,需活动拇指。多发短信至亲朋好友以通经脉暖气血,此乃利国民身心健康之大计也。在这个温馨幸福快乐美好的时刻,特别的祝福送给特别的你,祝元旦快乐,事事如意!丹东一切都在跑狗论坛祝新老客户元旦快乐!一切都在跑狗论坛-新一代正版跑狗论坛成立于19
    发布时间:2019-12-31   点击次数:42

  • 单晶硅与多晶硅的区别简介

    光伏太阳能电池板分为单晶、多晶和非晶硅,现在大多数单晶定向主要以单晶和多晶为材料。那么单晶硅与多晶硅有什么区别呢?单晶(monocrystal,monocrystalline,singlecrystal),即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规
    发布时间:2019-12-23   点击次数:56

  • 径向温度梯度不引起单晶材料位错的条件

    径向温度梯度不引起位错产生的条件为:在实际的晶体生长中,由于A1203材料熔点很高,为了获得足够的化料温度和维持较高的正常的晶体生长温度,热场设计的都比较紧凑,外界条件的波动往往造成温度梯度的不稳定变化。同时,实际生长晶体中坩埚与晶体的直径
    发布时间:2019-12-17   点击次数:13

  • 化学腐蚀法影响单晶材料晶体完整性的因素

    从实验可知,用熔融KOH进行化学腐蚀比用NaOH腐蚀效果好,得到的腐蚀图像清晰、准确。且最佳条件为熔融KOH在290℃腐蚀15min。同时对比实验发现国内外样片在晶体完整性方面差异不大。影响晶体完整性的因素是很多的。一般说来,单晶材料晶体生
    发布时间:2019-12-09   点击次数:26

  • 蓝宝石晶体定向外界条件变化容易造成晶格排列错位

    蓝宝石晶体(0001)面和(1120)面的位错腐蚀坑呈现不同的形状是由晶体所属的点群和晶体结构所决定的。化学腐蚀剂的作用就是破坏晶体内部分子或原子间相互作用键,键合力较小的首先被破坏。而在晶体生长过程中位错也主要产生在相互键合较弱的分子或原
    发布时间:2019-12-02   点击次数:22

  • 单晶定向用NaOH对蓝宝石进行化学腐蚀法试验

    半导体晶体的内在质量、晶体缺陷、杂质浓度等直接关系到外延层和器件的质量及成品率。准确地显示出晶体缺陷、研究其形成机理和控制及消除技术对制备高质量晶体是非常重要的。单晶定向主要研究了用化学腐蚀的方法显示蓝宝石单晶的位错缺陷的条件,为提高晶体质
    发布时间:2019-11-25   点击次数:15

  • 蓝宝石晶体定向用KOH进行化学腐蚀

    蓝宝石性质稳定,常温条件下难与酸、碱反应。但在高温条件下用熔融的KOH会对蓝宝石单晶产生化学腐蚀。不同腐蚀时间的腐蚀结果的密度为3.98g/cm3。其化学性能非常稳定,一般不溶于水,不受酸、碱腐蚀。蓝宝石的硬度很高,为莫氏硬度9级,仅次于最
    发布时间:2019-11-18   点击次数:22

  • 化学腐蚀法研究蓝宝石晶体定向中的位错缺陷

    为了适应工业化蓝宝石晶体定向的需求目前采用人工方法制备蓝宝石晶体则成为获得大直径、高完整性和按要求晶面生长单晶的主要方法。蓝宝石晶体的生长方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、导膜法(EFG法)、感应温场上移法(1FUS法)
    发布时间:2019-11-11   点击次数:23

  • 单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

    近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,单晶材料非常适用于制作抗辐射
    发布时间:2019-11-04   点击次数:65

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