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  • 单晶定向材料的优点和不足有哪些

    单晶定向材料其优点是:(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。(3)碳化硅有高的热导率,因此碳化硅
    发布时间:2020-05-29   点击次数:2

  • 碳化硅定向材料有哪些特征

    碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半导体材料,也是元素周期表中V族元素中一种固态碳化物单晶材料。SiC由碳原子和硅原子组成,但其晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域常用的是4H-SiC和6H-SiC两种,SiC与其它半导体材料具有相
    发布时间:2020-05-18   点击次数:10

  • 单晶硅片行业近几年新增产能

    近2-3年,由于单晶Perc电池产业链成熟、技术指标不断超预期所带来的效率和性价比优势,带动电池片厂商纷纷升级和加码单晶Perc产能,包括对原有单晶电池产线的Perc化升级和新增单晶材料Perc电池产能。2017-2018年是原有单晶电池产
    发布时间:2020-05-11   点击次数:12

  • 2020年单晶硅片材料行业市占率预计能有多少

    晶硅光伏电池体系主要分为单晶和多晶。单晶通过旋转提拉的工艺将多晶硅料制成单晶硅棒(长晶工艺首先制成圆棒,再通过切方制成方棒),多晶通过铸锭工艺将多晶硅料制成多晶硅锭,硅棒/硅锭再通过切片工序分别制成单晶/多晶硅片。单晶材料由于内部原子排列有
    发布时间:2020-05-06   点击次数:18

  • 半导体碳化硅单晶激光定向

    目前,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的法向生长
    发布时间:2020-04-29   点击次数:9

  • 小角晶界对单晶材料的影响有哪些

    在单晶材料硅晶体生长过程中,由于气相组分过饱和使晶坯边缘进行择优生长,从而产生了偏离籽晶方向的晶格失配区域,在晶格失配区域,不同晶向的晶粒之间形成晶界。晶界通常由扩展边缘和螺旋位错构成,并贯穿整个晶锭,这对器件结构是致命的。靠近晶体边缘的小
    发布时间:2020-04-20   点击次数:10

  • 硅单晶材料多型缺陷有什么影响

    提高硅晶体质量,就意味着必须降低晶体中得缺陷,正如单晶材料设备厂家所说,PVT法生长硅单晶需要控制的工艺参数较多,并且这些参数在生长过程中不断发生变化,所以对晶体中的缺陷控制比较困难。硅单晶的缺陷主要包括微管、多型、位错、层错和小角晶界等。
    发布时间:2020-04-16   点击次数:14

  • 碳化硅单晶的微管缺陷

    微管缺陷严重阻碍了多种SiC单晶定向器件的商业化,被称为SiC器件的“杀手型”缺陷。大多数关于微管缺陷形成机制的讨论都是基于微管与大伯格斯矢量超螺形位错相结合的Frank理论。生长过程中,沿超螺旋位错核心方向的高应变能密度会导致该处优先升华
    发布时间:2020-04-09   点击次数:25

  • 半导体碳化硅单晶高温化学气相沉积法

    通常半导体单晶材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因,固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前,晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达到这
    发布时间:2020-04-04   点击次数:19

  • 碳化硅物理气相传输法

    PVT法生长SiC单晶材料一般采用感应加热方式,在真空下或惰性气体气氛保护的石墨坩埚中,以高纯SiC粉为原料,在一定的温度和压力下,固态SiC粉在高温下发生分解升华,生成具有一定结构形态的气相组分SimCn,由于石墨坩埚反应腔轴向存在着温度
    发布时间:2020-03-24   点击次数:29

  • 碳化硅单晶的结构和性质

    SiC晶体结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C四面体结构,它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成,按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围,属于密堆积结构。SiC多型晶体的晶格常数a可以看作常数,而晶格常数c不同
    发布时间:2020-03-17   点击次数:22

  • 半导体碳化硅单晶材料如何被获得的

    SiC是最早发现的半导体材料之一,自1824年瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC多晶相以来,SiC单晶的发展经历了一个漫长而曲折的过程。1893年,Acheson将石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
    发布时间:2020-03-12   点击次数:15

  • 半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史

    半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史,简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质,对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。以硅(S
    发布时间:2020-03-04   点击次数:42

  • x射线单晶定向仪和多晶有什么区别?

    单晶定向仪主要用于测定单个纯物质的晶体结构,对于已知结构,可以进行精修,对于未知结构,可以鉴定结构。要求所测的样品为块状单晶。一般在表征新化合物时,建议用单晶定向仪,测量一个单晶体需要一到两天,解析一个单晶可能要花费更多的时间。另外,培养单
    发布时间:2020-02-24   点击次数:37

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