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半导体碳化硅单晶激光定向

半导体碳化硅单晶激光定向

发布日期:2020-04-29 09:21 来源: 点击:

目前,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的法向生长速度,腐蚀速度。杂质的扩散速度,氧化速度,以及晶面的解理特性等等,都由于晶体的取向不同而不同。况且在科研和生产中,由于我们制造的器件使用目的不同。往往也要求我们所用基片的半导体材料的晶向不同。所以我们需首先对晶轴进行定向。

测定晶体取向有解理法,X 射线劳埃法,X 射线衍射法和光学反射图象法等多种方法。

其中光学反射图象法是目前生产中广泛使用的方法。这个方法较为简便,能直接进行观测,而且在测定低指数晶面时精确度相当好。

本实验的目的,就是要了解光学反射图象法测定单晶晶面的原理,通过使用碳化硅定向仪掌握测定硅单晶的(111),(100)晶面的定向技术。

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