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碳化硅定向材料有哪些特征

碳化硅定向材料有哪些特征

发布日期:2020-05-18 00:00 来源: 点击:

碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半导体材料,也是元素周期表中V族元素中一种固态碳化物单晶材料。SiC由碳原子和硅原子组成,但其晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域常用的是4H-SiC和6H-SiC两种,SiC与其它半导体材料具有相似的特性,4H-SiC的饱和电子漂移速度是Si的两倍,从而为SiC器件提供了较高的电流密度和较高的跨导。高击穿特性使SiC功率器件和开关器件具有较Si和GaAs器件高3-4倍的击穿电压,高的热导率和耐高温特性保证了SiC器件具有较高的功率密度及高温工作的可靠性。

碳化硅(SiC)器件

1、SiC二极管

2、SiC光电器件

3、SiC JFET

4、SiC晶体管

5、SiC晶闸管等

碳化硅定向材料和它制成的功率器件的特点:

碳化硅Sic的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。

它与硅半导体材料一样,可以制成单晶定向仪、结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。

单晶材料缺陷如何处理

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