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  • 单晶定向材料的优点和不足有哪些

    单晶定向材料其优点是:(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。(3)碳化硅有高的热导率,因此碳化硅
    发布时间:2020-05-29   点击次数:2

  • 单晶硅片行业近几年新增产能

    近2-3年,由于单晶Perc电池产业链成熟、技术指标不断超预期所带来的效率和性价比优势,带动电池片厂商纷纷升级和加码单晶Perc产能,包括对原有单晶电池产线的Perc化升级和新增单晶材料Perc电池产能。2017-2018年是原有单晶电池产
    发布时间:2020-05-11   点击次数:12

  • 硅单晶材料多型缺陷有什么影响

    提高硅晶体质量,就意味着必须降低晶体中得缺陷,正如单晶材料设备厂家所说,PVT法生长硅单晶需要控制的工艺参数较多,并且这些参数在生长过程中不断发生变化,所以对晶体中的缺陷控制比较困难。硅单晶的缺陷主要包括微管、多型、位错、层错和小角晶界等。
    发布时间:2020-04-16   点击次数:14

  • 半导体碳化硅单晶高温化学气相沉积法

    通常半导体单晶材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因,固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前,晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达到这
    发布时间:2020-04-04   点击次数:19

  • 碳化硅单晶的结构和性质

    SiC晶体结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C四面体结构,它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成,按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围,属于密堆积结构。SiC多型晶体的晶格常数a可以看作常数,而晶格常数c不同
    发布时间:2020-03-17   点击次数:22

  • 半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史

    半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史,简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质,对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。以硅(S
    发布时间:2020-03-04   点击次数:42

  • 单晶定向和切割操作实施办法

    首先对被测晶体进行初步评价,用XRD常规θ/2θ扫描。理想单晶是光斑所照射的块状平面仅出现一种晶面的衍射峰,或者根本扫不到峰。仅有一个很强的主晶粒峰,只是取向有微小差异的,即有晶体缺陷的,可称为准单晶。否则,就是多晶,但多晶概念太广泛,有仅
    发布时间:2020-02-17   点击次数:31

  • 丹东一切都在跑狗论坛晶体仪器祝大家元旦快乐!

      元旦将至,新年初始,需活动拇指。多发短信至亲朋好友以通经脉暖气血,此乃利国民身心健康之大计也。在这个温馨幸福快乐美好的时刻,特别的祝福送给特别的你,祝元旦快乐,事事如意!丹东一切都在跑狗论坛祝新老客户元旦快乐!一切都在跑狗论坛-新一代正版跑狗论坛成立于19
    发布时间:2019-12-31   点击次数:83

  • 径向温度梯度不引起单晶材料位错的条件

    径向温度梯度不引起位错产生的条件为:在实际的晶体生长中,由于A1203材料熔点很高,为了获得足够的化料温度和维持较高的正常的晶体生长温度,热场设计的都比较紧凑,外界条件的波动往往造成温度梯度的不稳定变化。同时,实际生长晶体中坩埚与晶体的直径
    发布时间:2019-12-17   点击次数:34

  • 蓝宝石晶体定向外界条件变化容易造成晶格排列错位

    蓝宝石晶体(0001)面和(1120)面的位错腐蚀坑呈现不同的形状是由晶体所属的点群和晶体结构所决定的。化学腐蚀剂的作用就是破坏晶体内部分子或原子间相互作用键,键合力较小的首先被破坏。而在晶体生长过程中位错也主要产生在相互键合较弱的分子或原
    发布时间:2019-12-02   点击次数:26

  • 蓝宝石晶体定向用KOH进行化学腐蚀

    蓝宝石性质稳定,常温条件下难与酸、碱反应。但在高温条件下用熔融的KOH会对蓝宝石单晶产生化学腐蚀。不同腐蚀时间的腐蚀结果的密度为3.98g/cm3。其化学性能非常稳定,一般不溶于水,不受酸、碱腐蚀。蓝宝石的硬度很高,为莫氏硬度9级,仅次于最
    发布时间:2019-11-18   点击次数:38

  • 单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

    近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,单晶材料非常适用于制作抗辐射
    发布时间:2019-11-04   点击次数:100

  • 硅单晶定向实际生产中晶体中氧浓度参数调整

    在硅单晶的实际生产中,就晶体中氧浓度而言有人建议采用数种方法,以处理生长期间晶体固化速率或生长长度的问题,所述方法包括对坩埚旋转速度、炉内压力、大气流速、静磁场应用或其数个参数(以下称作操作参数)组合的调整。可通过调整操作参数来调整晶体内的
    发布时间:2019-10-28   点击次数:70

  • 硅单晶定向中硅材料的位错

    在实际应用的硅单晶定向材料的晶格中,总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。存在着各种形式的缺陷。按着缺陷,晶体空间分布尺寸的情况可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷等,这里主要讨论硅单晶体中的位错和硅外延片中的层错。  位错是硅单晶中主要的一部分
    发布时间:2019-09-10   点击次数:137

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