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  • [公司新闻] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射器件的要求。作为第三代宽带隙半导体材料的代表,碳化硅(SiC)单
    发布时间:2016-08-05   点击次数:220

  • [公司新闻] 半导体碳化硅单晶材料的发展

     单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不
    发布时间:2016-11-29   点击次数:158

  • [公司新闻] 碳化硅的物质特性

    碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度
    发布时间:2017-10-26   点击次数:95

  • [公司新闻] 碳化硅定向如何提高多线切割机的切割效率

    为了提高多线切割机的切割效率,多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法,该方法是根据所切割过程中晶体柱截面不同位置对应的切割长度的不同,变化切割速度,将工作台的勻速进给切割改为连续、分段不同速度进给,从而保证切割质量的前提下提高了切割效率。鉴于现
    发布时间:2019-07-23   点击次数:64

  • [公司新闻] 半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史

    半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史,简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质,对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。以硅(S
    发布时间:2020-03-04   点击次数:42

  • [公司新闻] 碳化硅单晶的结构和性质

    SiC晶体结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C四面体结构,它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成,按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围,属于密堆积结构。SiC多型晶体的晶格常数a可以看作常数,而晶格常数c不同
    发布时间:2020-03-17   点击次数:22

  • [公司新闻] 半导体碳化硅单晶高温化学气相沉积法

    通常半导体单晶材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因,固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前,晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达到这
    发布时间:2020-04-04   点击次数:19

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    单晶材料以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗
    发布时间:2016-02-16   点击次数:164

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的发展

    结合单晶材料X射线应力测定基本原理,通过必要的理论分析,对现有单晶应力测定方法进行必要的改进和优化。基于工程实际应用需要,精简了单晶应力测定步骤并拓宽其应用范围,即不需要事先已知2θ0,
    发布时间:2017-05-22   点击次数:259

  • [技术中心] 碳化硅定向主要应用领域

    碳化硅主要用于功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。⑴作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。⑵作为冶金脱氧剂和耐高温材
    发布时间:2019-08-12   点击次数:102

  • [技术中心] 单晶材料碳化硅的高温化学气相沉积制备方法

    通常半导体材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因,固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前,单晶材料晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达
    发布时间:2019-07-16   点击次数:168

  • [技术中心] 碳化硅定向的晶体定型的切割方法

    碳化硅晶体是第三代宽带隙半导体材料,和一代硅、二代砷化镓半导体材料相比,具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、介电常数小、抗辐射性能强、化学稳定性好等优良的物理化学性质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,优良
    发布时间:2019-07-18   点击次数:218

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料的结构和性质

    以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的一代和二代半导体单晶材料的高速发展,推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作,不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射
    发布时间:2019-04-26   点击次数:87

  • [技术中心] 多孔碳化硅定向陶瓷的无模高温结晶制备工艺

    多孔陶瓷是一种含有一定量孔隙的非金属固体粉末烧结体,用途十分广泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一种,因具有高过滤效率和高分离效率及优异的光电性能而备受关注。良好的碳化硅粉末堆积密度是制备高质量碳化硅陶瓷基础之一,本文引入土力土质学中关于
    发布时间:2020-02-10   点击次数:27

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶材料如何被获得的

    SiC是最早发现的半导体材料之一,自1824年瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC多晶相以来,SiC单晶的发展经历了一个漫长而曲折的过程。1893年,Acheson将石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
    发布时间:2020-03-12   点击次数:15

  • [技术中心] 碳化硅物理气相传输法

    PVT法生长SiC单晶材料一般采用感应加热方式,在真空下或惰性气体气氛保护的石墨坩埚中,以高纯SiC粉为原料,在一定的温度和压力下,固态SiC粉在高温下发生分解升华,生成具有一定结构形态的气相组分SimCn,由于石墨坩埚反应腔轴向存在着温度
    发布时间:2020-03-24   点击次数:29

  • [技术中心] 碳化硅单晶的微管缺陷

    微管缺陷严重阻碍了多种SiC单晶定向器件的商业化,被称为SiC器件的“杀手型”缺陷。大多数关于微管缺陷形成机制的讨论都是基于微管与大伯格斯矢量超螺形位错相结合的Frank理论。生长过程中,沿超螺旋位错核心方向的高应变能密度会导致该处优先升华
    发布时间:2020-04-09   点击次数:25

  • [技术中心] 半导体碳化硅单晶激光定向

    目前,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的法向生长
    发布时间:2020-04-29   点击次数:9

  • [技术中心] 碳化硅定向材料有哪些特征

    碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半导体材料,也是元素周期表中V族元素中一种固态碳化物单晶材料。SiC由碳原子和硅原子组成,但其晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域常用的是4H-SiC和6H-SiC两种,SiC与其它半导体材料具有相
    发布时间:2020-05-18   点击次数:10

  • [展会信息] 【成员风采】一切都在跑狗论坛-新一代正版跑狗论坛参展首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM2018)展会

    一切都在跑狗论坛-新一代正版跑狗论坛是从事X-RAY晶体定向及测试设备研发的民营高科技企业。目前公司主要产品是用于各种晶体定向及缺陷检测的X-RAY晶体定向及检测设备,年生产能力200台套/年。产品现已出口十余个国家和地区。丹东一切都在跑狗论坛晶体
    发布时间:2018-08-07   点击次数:377

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